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測(cè)試與失效分析

Testing and Failure Analysis

X射線光電子能譜儀（XPS）

設(shè)備型號(hào)：PHI 5000 VersaProbe III
針對(duì)各類儲(chǔ)能業(yè)務(wù)需求，TIES力圖發(fā)展成為布局全面，面向市場(chǎng)，集測(cè)試分析、失效分析、資質(zhì)認(rèn)證、技術(shù)開發(fā)、工程放大、智能制造、高價(jià)值信息服務(wù)、高端培訓(xùn)為一體的研發(fā)型企業(yè)。 聯(lián)系我們

技術(shù)參數(shù)

1. 能量分辨率：Ag3d5/2峰位FWHM < 0.48eV；C1s譜中O=C-O峰位FWHM < 0.82eV 

2. 最小x-ray 束斑：<10.0μm（x軸）；<10.0μm (y軸) 

3. Ar離子濺射槍最大束流：>5.0μA @5kV

4. Ar離子/C60離子濺射槍差分氣壓：< 6.7x10-6 Pa (5x10-8Torr) 

5. Ar氣團(tuán)簇離子槍的最大電流：>40nA @ 20kV 

6. Ar氣團(tuán)簇離子最小束斑：500 μm @ 20 kV

7. 樣品臺(tái)的冷熱性能：-140°C~800°C  


應(yīng)用范圍

無(wú)機(jī)化合物、合金、聚合物、能源電池、表面缺陷（腐蝕，異物，污染，分布不均等）、表面多層薄膜等

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技術(shù)參數(shù)二次電子分辨率：0.8 nm (加速電壓 15 kV) (標(biāo)準(zhǔn)模式，非任何減速模式下)1.1 nm (加速電壓 1 kV)(減速模式)放大倍數(shù)：20 到 1000k         加速電壓：20-1000k電位移：±12μm(WD=8mm)光闌：4孔物鏡活動(dòng)光闌系統(tǒng)：內(nèi)置自清潔裝置（孔徑30、50、50、100μm）探測(cè)器：低位（Lower）、高位（Upper）二次電子探測(cè)器、高位過(guò)濾背散射探頭信號(hào)選擇：二次電子像、背散射電子像、混合像快速換樣系統(tǒng)：100mm直徑大樣品交換倉(cāng)，換樣時(shí)間30秒真空轉(zhuǎn)移系統(tǒng)：日立原裝真空轉(zhuǎn)移系統(tǒng)能譜儀：布魯克60mm2能譜應(yīng)用范圍1、加速電壓減速功能，具有波長(zhǎng)較短、像差較小、分辨力高的一系列優(yōu)點(diǎn)，降低樣品損傷的同時(shí)，可以獲得低電壓高分辨的圖像。2、SE/BSE信號(hào)按比例接收功能，電鏡配有低位（Lower），高位（Upper）二次電子探測(cè)器，高位過(guò)濾背散射探頭，可以通過(guò)改變透鏡內(nèi)變換電極的電壓，讓檢測(cè)器捕捉到二次電子及背散射電子，以任意比例（100級(jí)）混合，達(dá)到最 佳對(duì)比度的觀察，抑制荷電、邊緣效應(yīng)，從而獲得對(duì)比度最 佳的SEM像。

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飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）
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