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測試與失效分析

Testing and Failure Analysis

金相顯微鏡

設(shè)備型號：YYJ-200E
針對各類儲能業(yè)務(wù)需求，TIES力圖發(fā)展成為布局全面，面向市場，集測試分析、失效分析、資質(zhì)認(rèn)證、技術(shù)開發(fā)、工程放大、智能制造、高價值信息服務(wù)、高端培訓(xùn)為一體的研發(fā)型企業(yè)。 聯(lián)系我們

技術(shù)參數(shù)

1. 目鏡放大倍數(shù)：10 ×、 20 ×

2.物鏡放大倍數(shù)： 5 ×、 10 ×、 20 ×、40 ×、60 ×、100 ×

3.光學(xué)總放大倍數(shù)：50 ×~2000×；


應(yīng)用范圍

組織形貌觀察
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掃描電子顯微鏡（SEM）
技術(shù)參數(shù)二次電子分辨率：0.8 nm (加速電壓 15 kV) (標(biāo)準(zhǔn)模式，非任何減速模式下)1.1 nm (加速電壓 1 kV)(減速模式)放大倍數(shù)：20 到 1000k         加速電壓：20-1000k電位移：±12μm(WD=8mm)光闌：4孔物鏡活動光闌系統(tǒng)：內(nèi)置自清潔裝置（孔徑30、50、50、100μm）探測器：低位（Lower）、高位（Upper）二次電子探測器、高位過濾背散射探頭信號選擇：二次電子像、背散射電子像、混合像快速換樣系統(tǒng)：100mm直徑大樣品交換倉，換樣時間30秒真空轉(zhuǎn)移系統(tǒng)：日立原裝真空轉(zhuǎn)移系統(tǒng)能譜儀：布魯克60mm2能譜應(yīng)用范圍1、加速電壓減速功能，具有波長較短、像差較小、分辨力高的一系列優(yōu)點，降低樣品損傷的同時，可以獲得低電壓高分辨的圖像。2、SE/BSE信號按比例接收功能，電鏡配有低位（Lower），高位（Upper）二次電子探測器，高位過濾背散射探頭，可以通過改變透鏡內(nèi)變換電極的電壓，讓檢測器捕捉到二次電子及背散射電子，以任意比例（100級）混合，達(dá)到最 佳對比度的觀察，抑制荷電、邊緣效應(yīng)，從而獲得對比度最 佳的SEM像。

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X射線光電子能譜儀（XPS）
技術(shù)參數(shù)1. 能量分辨率：Ag3d5/2峰位FWHM < 0.48eV；C1s譜中O=C-O峰位FWHM < 0.82eV 2. 最小x-ray 束斑：<10.0μm（x軸）；<10.0μm (y軸) 3. Ar離子濺射槍最大束流：>5.0μA @5kV4. Ar離子/C60離子濺射槍差分氣壓：< 6.7x10-6 Pa (5x10-8Torr) 5. Ar氣團(tuán)簇離子槍的最大電流：>40nA @ 20kV 6. Ar氣團(tuán)簇離子最小束斑：500 μm @ 20 kV7. 樣品臺的冷熱性能：-140°C~800°C  應(yīng)用范圍無機(jī)化合物、合金、聚合物、能源電池、表面缺陷（腐蝕，異物，污染，分布不均等）、表面多層薄膜等

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